第三代半导体有什么优势

admin 2020-06-10 07:09 公司动态

第三代半导体宽禁带材料SiC、GaN可以满足现有Si基半导体不能胜任的功用,是国家战略发展方向,5G宏基站和小基站射频功率放大器将极大提升第三代半导体需求,建议关注龙头业绩放量。

第一代半导体材料是Si和Ge,应用在目前95%以上半导体器件中;第二代半导体以GaAs、InP为主,但价格昂贵还有毒性;第三代半导体是SiC、GaN等宽禁带半导体材料。

GaN制备技术仍有待提升,国内企业目前可以小批量生产2英寸衬底,具备了4英寸衬底生产能力,并开发出6英寸样品。

第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、 高压、高频以及高辐射等恶劣条件的新要求,相比Si基半导体可以降低50%以上的能量损失,最高可以使装备体积减小75%以上。

由于摩尔定律已经接近极限,传统Si晶体管性能进一步提升困难,新型底层材料是未来半导体的突破路径之一。

先进半导体材料已上升到国家战略层面,2025中国制造中规划到2025年要实现5G、高效能源管理国产化率达50%,新能源车、消费电子实现规模应用,通用照明渗透率达80%。

目前基站射频用功率放大器主要为LDMOS技术,但LDMOS技术适用于低频段,在高频领域存在局限性。

GaN射频器件更能有效满足5G高功率、高通信频段的要求,未来5G基站GaN射频将成为主流技术。

目前我国5G宏基站使用的功率放大器数量在2019年为1,843.2万个,2020年有望达到7,372.8万个,同比增长达到4倍。

另一方面, 小基站能有效增加室内信号覆盖、提升网络容量,可弥补5G宏基站覆盖范围小的缺点,将成为5G网络的重要组成部分,大量小基站的使用也将带来GaN用量增长。

预计GaN射频器件的规模将从2017年3.8亿美元增长到2023年13亿美元,复合增长率超过20%。

5月20日晚,中国移动与中国广电签署5G共建共享合作框架协议,双方按1: 1比例共同投资建设700MHz 5G无线网络,预计今年将新增5万座基站。

随着5G新基建的推进,第三代半导体特别是GaN的需求将爆发式增长,具有研发和生产能力的龙头企业将分享业绩红利。

三安光电:子公司三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线,并规划用地281亩,总投资额30亿元用于生产6万片/年GaN高功率半导体外延片和6万片/年GaN高功率半导体芯片。

海特高新:子公司海威华芯在GaN领域拥有249项专利,建成国内首条6英寸化合物半导体商用生产线,支持功率放大器、低噪音放大器等产品的制造。

上一篇:Symfony 5.1.0 发布,经典 PHP Web 开发框架
下一篇:“一部手机游曹妃甸”小程序正式上线

猜你喜欢

手机扫一扫添加微信

0592-5969527